博主进一步指出，假如这一工艺得以完成，那么国产5nm工艺的安稳量产也将指日可下。
据悉，中芯世界的N+3工艺在晶体管密度上体现杰出，达到了125MTr/mm（即每平方毫米125亿个晶体管）。这一密度介于台积电的N6（113MTr/mm）与三星前期的5nm（127MTr/mm）工艺之间，相当于台积电的5.5nm工艺水平。
以14nm工艺为基准（密度约35MTr/mm），N+3工艺的密度提高起伏超过了250%，充沛展现了中芯世界在FinFET架构上的继续优化才能。
虽然N+3的命名简单让人联想到“等效5nm”，但其实践功能和功耗体现更挨近于台积电的N7P（7nm增强版）和N6工艺。这在某种程度上预示着在相同晶体管数量下，中芯世界N+3的能效或许比台积电的N5/N4工艺落后约15%~20%，底子原因是EUV光刻机的缺少导致的工艺复杂度缺乏。但是，关于长时间依靠老练制程的国产芯片而言，这一前进现已满足打破多项技能瓶颈。
此前有职业的人悄悄表明，假如华为海思麒麟芯片选用N+3工艺，其功能有望挨近骁龙888的水平，足以支撑中高端手机商场的需求。有业内人士猜想，行将推出的麒麟9300或许会搭载这一先进的工艺。
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